Alman yarı iletken üreticisi Infineon, 300 mm çapındaki silisyum karbür (SiC) wafer'lar (yonga plakası) kullanarak işlevsel yarı iletkenleri üretmeyi başardı. Avusturya'daki fabrikada gerçekleştirilen bu çalışma, tam ölçekli bir yarı iletken üretim tesisinde 300 mm SiC wafer kullanılarak yapılan ilk üretim olma özelliğini taşıyor. Şirket, bu başarıya mevcut silikon (Si) üretim ekipmanlarını kullanarak ulaştı. Wafer çapının büyümesi, aynı üretim sürecinde daha fazla çip elde edilmesini sağlıyor. 300 mm wafer'lar, 200 mm olanlara kıyasla tek plakada 2,3 kat daha fazla çip üretebiliyor. Bu da üretim verimliliğinin artması ve uzun vadede çip başına maliyetlerin düşmesi anlamına geliyor. Silisyum karbür çipler neden önemli? Silisyum karbür, elektrik enerjisinin daha verimli dönüştürülmesini sağlayan önemli yarı iletken malzemelerinden biri. Düşük enerji kaybı, yüksek güç yoğunluğu ve yüksek sıcaklık ile gerilim altında çalışabilmesi, SiC çipleri özellikle enerji yönetimi gerektiren sistemlerde avantajlı hale getiriyor. İlgili çözümler: web yazılım
Bu çipler elektrikli otomobillerin motor kontrol sistemlerinde, araç içi şarj cihazlarında ve şarj istasyonlarında kullanılıyor. Büyük ölçekli enerji depolama sistemleri, endüstriyel motorlar ve kesintisiz güç kaynakları da diğer kullanım alanları arasında. İlgili çözümler: çok kategorili ilan sitesi İlgili çözümler: içerik yönetim sistemi
Yapay zeka veri merkezlerinin artan elektrik ihtiyacı SiC teknolojisine yönelik talebi de artırıyor. Bu merkezlerde katı hal transformatörleri, devre kesiciler ve güç kaynağı üniteleri gibi bileşenlerde silisyum karbür kullanılabiliyor. Infineon, söz konusu uygulamalara yönelik ürünlerini CoolSiC markası altında sunuyor. Şirket, 300 mm SiC teknolojisinin seri üretime ne zaman geçeceğini müşterileri ve iş ortaklarıyla birlikte belirleyecek. Bu çalışmalar sürerken mevcut 200 mm SiC üretim planı da devam edecek. Infineon, Almanya'nın Dresden kentindeki tesisinde 300 mm SiC wafer'lar için Cold Split teknolojisini de başarıyla test etti. Geleneksel yöntemde silisyum karbür kristalleri tel kullanılarak ince plakalar halinde kesiliyor. Cold Split ise kristali daha az malzeme kaybıyla ayırırken işlem süresini de önemli ölçüde kısaltıyor. Böylece aynı kristalden daha fazla wafer elde edilebiliyor. Daha az malzeme kaybı ve daha kısa üretim süresi, maliyetlerin ve üretim için gereken yatırımların azaltılmasına da katkı sağlayabilir. İlgili çözümler: emlak yazılımı
Kaynak: DonanımHaber
